| summary |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
38.
|
1. A. Bouchekhlal, Y. Beggah, M.S. Aida « Elaboration et caractérisation des varistances à base du ZnO », University of Jijel, Algeria
|
|
180.
|
2. F.Z. Mami, N. Mokdad, K. Zitouni and A. Kadri “Optimisation des structures lasers à base d’hétérostructures HgCdTe », University of Oran Es-Senia, Algeria
|
|
298.
|
3. T. ZIAR, M. ZAABAT, A.FILALI and S.MELLAL “A COMPARATIVE STUDY OF TOW GaAs MESFET EMPIRICAL Models USED IN Different Nonlinear Simulators”, University of Oum El-Bouaghi, Algeria
|
|
368.
|
4. L. Ayat, S. Ayad, « The effect of the Al molar fraction and thickness of an Alx Ga1-xAs window on the GaAs solar cell », University of Bechar, Algeria
|
|
8.
|
5. I.F.BOUGUENNA, A.B.STAMBOULI, M.EMZIANE “Optimization of a Tandem Solar Cell a-Si: H / a-SiGe: H”, U. S. T. O., Oran, Algeria
|
|
18.
|
6. D.Guiza, C.Azizi, M.Zaabat “Modèles de puissance produite du module photovoltaïque et Comparaisons », University of Oum- El-Bouaghi, Algeria
|
|
262.
|
7. S. Mellal, C.Azizi, M.Zaabat « Comparaison des caractéristiques de trois modèles non linéaire du Transistor MESFET GaAs submicroniques et validation du modèle analytique proposé », University of Oum El-Bouaghi, Algeria
|
|
306.
|
8. N. Nehaoua, Y. Chergui, and D. E. Mekki “dye-sensitized solar cell based on TiO2 nanostructures and parameters evaluation”, University of Annaba, Algeria
|
|
307.
|
9. Y. Chergui, N. Nehaoua, and D. E. Mekki “Comparative study of dye-sensitized solar cell based on ZnO and TiO2 nanostructures”, University of Annaba, Algeria
|
|
57.
|
10. AMRI Houda, FILALI Anissa, CHERIET Abderahmane, ZAABAT Mourad and DRAIDI Mourad“Effet de l’angle d’incidence sur la modélisation électromagnétique des circuits actifs multicouches par WCIP », University of Oum- El-Bouaghi, Algeria
|
|
97.
|
11. R. Becharef, Z.Souar, G. Bassou « L’UTILISATION DES STRUCTURES MIM DANS LE MELANGE DE FREQUENCES », University of Sidi Bel-Abbès, Algeria
|
|
181.
|
12. Ali BOUGHAROUAT, Azzedine BELLEL, Salah SAHLI, Yvan SEGUI and Patrice RAYNAUD “Polymer coated quartz crystal microbalance sensors for detection of volatile organic compounds”, , University of Constantine, Algeria
|
|
116.
|
13. Noubeil Guermat, Azzedine Bellel, Salah Sahli, Yvan Segui and Patrice Raynaud “HUMIDITY SENSING PROPERTIES OF HMDSO PLASMA THIN FILM”, University of Constantine , Algeria
|
|
290.
|
14. N. Ohabab, A. Merazga, M. Ledra, T. Tibermacine “The spatial distribution of the built-in electric field and its effect on the drifting carriers in Space-Charge-Limited Time-Of-Flight Photocurrent in a-Si:H p-i-n cells”, University of Biskra, Algeria
|
|
326.
|
15. A. Boudine, K. Benhizia and L. Kalla “spin polariZéd transport In Sempiconductor”, University of Oum El-Bouaghi, Algeria
|
|
330.
|
16. N. Benaziez et M. Chahdi « Etude de l'effet des états de surfaces sur les propriétés électriques d'une structure Schottky en présence d'une couche interfaciale », University of Batna, Algeria
|
|
352.
|
17. B.N.KHELLAF, H.BAUDRAND, M.ZAABAT, C.AZIZI « Propriétés des Eléments de Circuits dans L’approximation Quasi-Statique », University of Oum El-Bouaghi, Algeria
|
|
26.
|
18. A. Mahi , A. Helmaoui , A. Belghachi « ETUDE ANALYTIQUE DES FLUCTUATIONS A HAUTES FREQUENCES DANS LA DIODE SCHOTTKY VARACTOR A LA BASE DE GaAs », University of Bechar, Algeria
|
|
331.
|
19. I. HAMMA, Y.SAIDI, C.AZIZI, M.ZAABAT “Numerical analysis of GaAs MESFETs OPFET”, University of Oum El-Bouaghi, Algeria
|
|
16.
|
20. W. Terghini, N. Sengouga « Extraction des paramètres SPICE d'un transistor HEMT », University of Biskra, Algeria
|
|
111.
|
21. R. MARKI, C.AZIZI, M.ZAABAT « Propriétés statiques du nano transistor à effet de champ CNTFET », University of Oum- El-Bouaghi, Algeria
|
|
126.
|
22. F. Chiker, Z. Kebbab, N. Benramdanne « First-principles studies of nanoscale transistors for the MOS devices applications”, University of Sidi Bel-Abbès, ALGERIA
|
|
154.
|
23. F-Z. Rahou, A. Guen-Bouazza, B. Bouazza, M. Rahou « Study and description of the performances of the SOI MOSFET transistors”, University of Tlemcen, Algeria
|
|
371
|
24. C. Kaddour, C .Azizi , S.Khemissi, M. Zaabat, Y.Saidi “Modèle Analytique Pour le MESFET GaAs Avec Une Tension de Pincement Elevée », University of Oum El-Bouaghi, Algeria
|
|
372
|
25. M. Azizi, C. Azizi « Nouvelle Approche Non Linéaire Des Caractéristiques Statiques Du MESFET GaAs à Grille Submicronique », University of Oum El-Bouaghi, Algeria
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
